深硅刻蚀

Cavity：蚀刻角度 90°~93° 
Via：     刻蚀角度 90° ±1° 
Trench：刻蚀角度 90° ±0.2°               
深宽比 25：1
刻蚀均匀度<5%，底部无Notch

2024-11-05

金属干法刻蚀

常规金属：AI,Ti/TiN,Ta/TaN,W        
特殊金属：Pt,Au,Cr,Mo             
压电材料：ALN,PZT             
均匀度<5%

2024-11-05

介质膜&多晶硅刻蚀

非金属刻蚀：Si,Poly,Oxide,SiN,Polymide           
刻蚀角度可调 均匀度<5%

2024-11-05