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深硅刻蚀

 

 

SPTS

 

Cavity:蚀刻角度 90°~93°

Via:刻蚀角度 90° ±1°

Trench:刻蚀角度 90° ±0.2°

      深宽比 25:1
刻蚀均匀度<5%;底部无Notch

创建时间:2024-11-05 17:32
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