PROCESS EQUIPMENT
工艺设备
金属溅射（PVD）
AI,Ti/TiN,Ta/TaN,Cu,Pt,Au,W等 TK_U%<3%
2024-11-05
化学气相沉积（PECVD）
O₂：SiH4&TEOS based Stress：大范围可控 SiN：Stress：大范围可控 TK_U%<2% 200-400℃ 还可沉积BPSG,PSG,SION
