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化学气相沉积（PECVD）

 

 

 

 

 

SiO₂：SiH4&TEOS based；Stress：大范围可控     

SiN：Stress：大范围可控       

TK_U%<2%     

200-400℃
还可沉积BPSG,PSG,SION

 

创建时间：2024-11-05 17:37
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